Технические характеристики
SKKT500/12E тиристорный модуль
Количество тиристоров 2
Ток коммутации 540 А
Импульсный ток 14000 А
Рабочее напряжение 1200 В
Напряжение управления 2-5 VDC
Напряжение удержания 1,65 В
Ток управления 300 мА
Время включения 2 мкс
Время выключения 100 мкс
Рабочая температура 125 С
Тип корпуса SEMIPACK 5
Версия A46
Вес 1487 г
Размер 150х60х50.5 мм
Монтаж на панель
Без охладителя не включать !!!
Технические характеристики
SKKQ31/08 симисторный модуль
Количество тиристоров 2
Ток коммутации 30 А
Импульсный ток 320 А
Рабочее напряжение 800 В
Напряжение управления 2-5 VDC
Напряжение удержания 1,9 В
Ток управления 100 мА
Время включения 1 мкс
Время выключения 80 мкс
Рабочая температура 125 С
Тип корпуса SEMIPACK 0
Монтаж на панель
Без охладителя не включать !!!
Технические характеристики
SKKQ31/14 симисторный модуль
Количество тиристоров 2
Ток коммутации 30 А
Импульсный ток 320 А
Рабочее напряжение 1200 В
Напряжение управления 2-5 VDC
Напряжение удержания 1,9 В
Ток управления 100 мА
Время включения 1 мкс
Время выключения 80 мкс
Рабочая температура 125 С
Тип корпуса SEMIPACK 0
Монтаж на панель
Без охладителя не включать !!!
Технические характеристики
SKKQ31/16 симисторный модуль
Количество тиристоров 2
Ток коммутации 30 А
Импульсный ток 320 А
Рабочее напряжение 1600 В
Напряжение управления 2-5 VDC
Напряжение удержания 1,9 В
Ток управления 100 мА
Время включения 1 мкс
Время выключения 80 мкс
Рабочая температура 125 С
Тип корпуса SEMIPACK 0
Монтаж на панель
Без охладителя не включать !!!
Технические характеристики
SKKQ45/08 симисторный модуль
Количество тиристоров 2
Ток коммутации 45 А
Импульсный ток 470 А
Рабочее напряжение 800 В
Напряжение управления 2-5 VDC
Напряжение удержания 1,9 В
Ток управления 100 мА
Время включения 1 мкс
Время выключения 80 мкс
Рабочая температура 125 С
Тип корпуса SEMIPACK 0
Монтаж на панель
Без охладителя не включать !!!
IGBT-модуль – это общая силовая сборка, включающая в себя несколько IGBT-транзисторов. Модульные конструкции появились для простоты применения и компактности в общей схеме, так как IGBT-транзисторы в одиночном варианте практически не используются.
Отличительные качества IGBT-транзисторов:
минимальные потери в открытом состоянии;
сохранение работоспособности при температурах до 100 °С;
возможность работы при напряжениях более 1 кВ и мощностях от 5 кВт.
IGBT-модули применяются в инверторах, частотных преобразователях, импульсных регуляторах тока, системах управления мощными приводами.
Модульные конструкции применяются и для источников света. Популярны би-лед модули, в которых совмещено два световых режима. Применяются для создания фар автомобилей с целью улучшения характеристик освещения, повышения безопасности и снижения утомляемости глаз автомобилиста. К преимуществам относятся;
меньшая температура нагрева;
длительность эксплуатации;
увеличенный ресурс блока питания;
отсутствие пульсаций и эффекта ослепления;
свет направлен в центр;
простота подключения.
Купить IGBT-модуль, диодный модуль можно в нашем интернет-магазине. Вся продукция имеет необходимые сертификаты. Доставка во все регионы России.